半导体技术 在线投稿

期刊简介：《半导体技术》（ISSN 1003-353X、CN13-1109/TN、CODEN BAJIFJ）是国家新闻出版广电总局批准公开发行、中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。 本刊创刊于1976年，重点介绍半导体新材料的研发、半导体器件（CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等）和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制备和封装技术、可靠性（功率器件可靠性、ESD技术等）、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。栏目分为：趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备。 本刊为中文核心期刊、中国科技核心期刊，被《中国学术期刊网络出版总库》、中文科技期刊数据库、万方数据知识服务平台、超星期刊域出版平台、美国《化学文摘》（CA）、美国《剑桥科学文摘》（CSA）、美国《乌利希期刊指南》（UPD）、英国INSPEC数据库、俄罗斯《文摘杂志》（AJ of VINITI）、日本科学技术振兴机构数据库（JST）等国内外数据库收录。 欢迎半导体领域的专家、学者和研究人员踊跃投稿。

投稿指南：《半导体技术》投稿指南 《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊，被《中国学术期刊网络出版总库》、中文科技期刊数据库、万方数据知识服务平台、超星期刊域出版平台、美国《化学文摘》（CA）、美国《剑桥科学文摘》（CSA）、美国《乌利希期刊指南》 （UPD）、英国INSPEC数据库、俄罗斯《文摘杂志》（AJ of VINITI）、日本科学技术振兴机构数据库（JST） 等国内外数据库收录。 1. 征稿范围 半导体新材料的研发、半导体器件（CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等）和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制造技术和封装技术、可靠性（功率器件可靠性、ESD技术等）、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。主要栏目：趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备。 为使您的文章符合标准化出版要求，并得到更加及时的处理，请您务必阅读并了解本刊对于投稿的一些要求。 2. 投稿方法 ①系统投稿：请登录《半导体技术》网站（http://www.bdtj.cbpt.cnki.net）“作者投稿” 一栏进行投稿（推荐）； ②邮箱投稿：bdtj1339@vip.163.com。 如有问题请联系编辑部邮箱bdtj1339@vip.163.com，或致电编辑部电话0311-87091339，进行咨询。 3. 投稿要求 ♦ 作者在投稿前，须准备好全部作者签字、单位盖章的论文审查证明，在投稿系统中上传电子扫描版。投稿作者必须遵守学术规范和准则，勿一稿多投，杜绝泄密、抄袭、剽窃等行为。 ♦ 来稿件请用WORD 文档排版 ♦ 稿件应论点明确、数据可靠、条理清晰、文字精炼，论文撰写符合国家出版标准和规范。 ♦ 英文稿件要求语法规范、用词准确、表述无误。 ♦ 来稿请附第一作者及通信作者的联系方式，包括通信地址及邮编、固定或移动电话、E-mail，以便及时与作者联系。 ♦ 在稿件的最后一页需附上作者简介、第一作者近期1寸免冠证件照片（JPG格式）。若第一作者为在校学生，还需提供导师的个人简介（作者简介总数不超过3个），并确认导师是否同意投稿，且文中所有内容（例如：数据）已经核实准确无误。 4. 书写格式 ♦ 题目要求不超过20字。 ♦ 署名作者及所在单位：提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码，作者人数不超过7人。 ♦ 中英文摘要：摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论，中文250字左右。 ♦ 关键词：中英文5~8个。 ♦ 中图分类号：采用中国图书分类法（第五版进行分类）。 ♦ 基金项目：在首页页脚标注项目名称和批准号。 ♦ 缩略词和物理量：正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称；物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角，第一次出现该符号时需给出其含义。 ♦ 图、表和公式：按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置，在图下面标注图题、图注。有分图时分图用（a）（b）（c）等标识并给出中文分图题，插图最好用矢量图格式。表格应简明，宜用三线表，图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜，照片须清晰，分辨率不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致，不要出现正文中没有提及或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号，需用Mathtype公式编辑器编辑。 ♦ 参考文献：按在正文中出现的顺序编号，用方括号标于引文处右上角，并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料，应符合GB/T 7714—2015文献著录规则，著录项目齐全。 ⇒ 期刊格式：作者（列前三名，姓前名后，英文全部大写），等. 文章题目（英文首字母大写）[J]. 刊名（每个英文单词首字母大写），发表年份，卷（期）：起止页码. ⇒ 书籍格式：作者（列前三名，姓前名后，英文全部大写），等. 书名（英文首字母大写）[M]. 出版地：出版社，出版年份：参考起止页码. ⇒ 会议论文集格式：作者（列前三名，姓前名后，英文全部大写），等. 文章题目（英文首字母大写）[C] // 会议名称. 会议召开的城市，国别，年份：起止页码. ♦ 作者简介（含导师简介）：姓名（出生年—），性别，籍贯（出生地，如：河北石家庄人），学历，职称，从事专业或研究方向。 ♦ 论文模版请参看网站首页的下载中心 5. 审稿流程 收到稿件后，编辑部将通过“科技期刊学术不端文献检测系统”、网络搜索文献对比和编辑部综合审查等对稿件进行初审（5~7个工作日），无论初审通过与否，编辑部都会尽快告知。初审通过后的稿件将送至相关领域专家进行“双盲审稿”，编辑部于40天左右将评审意见发给作者。作者应将修改后的文稿及时（3周内）返回编辑部，审阅通过后将进行编辑加工和印刷出版。 6. 注意事项 自作者投稿之日起，视所有署名作者同意将文章的版权转让给《半导体技术》编辑部。本刊已许可中国知网、美国《化学文摘》（CA）及英国INSPEC等数据库以数字化方式复制、汇编、信息网络传播本刊全文。所有著作权转让费用均包含在论文刊登后《半导体技术》期刊支付的稿酬中，不再另行支付费用。作者向本刊提交文章发表的行为即视为同意我编辑部上述声明。如有异议，请在来稿时说明，本刊将进行适当处理。 编辑部联系方式： 通信地址： 河北石家庄市合作路113号《半导体技术》编辑部 邮政编码：050051 电话： 0311-87091339 E-mail：bdtj1339@vip.163.com

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